MOCVD,即金属有机化合物化学气相沉积,是一种在气相外延生长(VPE)技术基础上发展而来的先进制程技术。该技术采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物以及V族、Ⅵ族元素的氢化物作为源材料,通过精确控制热分解反应条件,在特定衬底上实现气相外延生长。由此能够制备出多种高质量、高性能的Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及多元固溶体的薄层单晶材料。这些材料在微电子、光电子、功率电子等领域有着广泛的应用前景。同时,现代的MOCVD设备通常具备手动和微机自动控制两种操作模式,极大提升了生产效率和工艺稳定性。
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