在“双碳”目标引领下，功率半导体已成为推动家电能效升级与新能源汽车产业发展的关键技术。2025年9月，三菱电机将在PCIM Asia 2025（上海）国际电力电子展上，以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，集中展示SiC MOSFET、IGBT等核心器件的突破性成果，并计划于9月24日举办媒体见面会，与行业伙伴共探绿色技术路径。

针对家电领域能效提升需求，三菱电机推出全球首款面向大容量家电的SiC SLIMDIP™功率模块。该系列包含全SiC与混合SiC两种技术路线：全SiC DIPIPM™模块采用专为SLIMDIP™封装优化的SiC-MOSFET芯片，通过降低导通损耗实现空调等家电的能效跃升；混合SiC DIPIPM™模块则创新性地并联SiC MOSFET（低电流段）与Si RC-IGBT（高电流段），在保持低功耗的同时确保系统稳定性。该系列模块已通过多家头部家电企业的验证，可助力家庭用能效率提升15%以上。

面向高功率工业场景，三菱电机同步发布第8代IGBT模块。该产品通过三大技术革新实现性能突破：分段式沟槽栅结构使导通损耗降低20%；芯片背面等离子体层工艺减少封装厚度，优化开关特性；芯片面积扩大30%后，结壳热阻显著下降。具体型号方面，LV100封装产品电流承载能力从1200A提升至1800A，NX封装系列则规划了5款不同规格产品，覆盖新能源发电、轨道交通等领域的1000A级应用需求。

新能源汽车领域，三菱电机重磅推出J3系列SiC-MOSFET功率模块。其中J3-T-PM半桥模块采用第三代T-PM紧凑封装，热阻降低40%，支持多模块并联扩展功率；J3-HEXA全桥模块可适配不同容量电驱系统，满足高速运行稳定性要求；J3继电器模块则集成超低损耗SiC MOSFET与快速短路保护功能，为电池管理系统提供双向/单向开关解决方案。该系列模块已通过车规级可靠性测试，可助力电动汽车实现10%以上的续航提升。

媒体见面会将于9月24日14:00在上海卓美亚喜玛拉雅酒店举行，三菱电机研发团队将联合产业链伙伴，深度解析功率半导体技术如何支撑“双碳”目标落地。活动设置技术演示、圆桌讨论等环节，并开放限量席位供行业人士参与交流。报名通道现已开启，可通过指定二维码完成注册。