意法半导体推出第四代SiC MOSFET,专为电动车牵引逆变器打造

最近,意法半导体(STMicroelectronics)宣布推出他们的第四代硅碳化物(SiC)功率MOSFET技术。这项新技术在功率效率、功率密度和耐用性上都设立了新的标准,特别是针对电动车(EV)牵

最近,意法半导体(STMicroelectronics)宣布推出他们的第四代硅碳化物(SiC)功率MOSFET技术。这项新技术在功率效率、功率密度和耐用性上都设立了新的标准,特别是针对电动车(EV)牵引逆变器这一关键组件。这一消息引起了大家的广泛关注,因为电动车市场正在迅速发展,消费者对高效、经济的电动车的需求日益增加。

意法半导体在SiC功率MOSFET领域可是全球的领军者。相较于传统的硅器件,SiC技术的优势在于它的效率更高、功率密度更大。这意味着未来的电动车牵引逆变器将更小、更轻,同时能效更好,这无疑会提升电动车的整体性能。

在电动车市场日渐扩张的背景下,制造商们面临着如何在降低成本的同时提升产品竞争力的挑战。意法半导体的最新SiC MOSFET设备,涵盖了750V和1200V两个电压等级,将为400V和800V的电动车牵引逆变器提供更高的能效。这对于中型和紧凑型电动车来说尤为重要,正是未来市场的关键领域。

不仅如此,意法半导体还在积极推进其新技术的认证工作。他们已经完成了750V等级的认证,预计在2025年第一季度将完成1200V等级的认证。这意味着,设计师们可以在不久的将来使用这些新器件,从而拓展电动车的应用范围,从传统的交流电源到高压电池和充电器。此外,意法半导体的第五代SiC功率器件将采用一种全新的高功率密度技术,进一步提升产品性能。而且,他们还致力于降低导通电阻(RDS(on)),这在高温下的表现也将更加出色。

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