中国IGBT前五大

分别是斯达半导体、扬杰科技、比亚迪半导体、中车时代、士兰微。

1、斯达半导体(603290)是中国IGBT的领导者。得益于加速的国产化进程，IGBT模块的全球市场份额为2%。嘉兴斯达半导体有限公司成立于2005年4月，注册地为浙江省嘉兴市南湖区。该公司的主要业务是基于IGBT的功率半导体芯片和模块的设计、研发和生产，以及IGBT模块的组建和对外销售。该公司总部位于浙江省嘉兴市，但在上海和欧洲设有研发中心。它将于2020年2月4日在上海证券交易所上市。

2、今年一季度，扬杰科技(300373)的MOSFET和IGBT的销售额占比约为8%，目前呈上升趋势。

3、比亚迪半导体于2007年建立了IGBT模块生产线，并于2009年完成了首款车辆规格级IGBT芯片的开发。可提供裸芯片、单管、电源模块等多种形式的产品。2018年底，公司发布了自主研发的车辆规格级IGBT4.0技术。

4、株洲中车时代电气有限公司是中车股份制企业。公司是中国唯一一家完全掌握晶闸管、整流器、IGCT(集成门极换向晶闸管)、IGBT(绝缘门极双极晶体管)、SiC(碳化硅)器件和功率元件全套技术的制造商，中国唯一一家自主掌握高铁电源IGBT芯片及模块技术的企业。

拓展资料

关于igbt

1)IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件。成本占新能源汽车整车成本的10%，占充电桩成本的20%。由于未来几年新能源汽车、充电桩等新兴市场的快速发展，IGBT等半导体功率器件将迎来黄金发展期。

2)IGBT将率先受益于新能源电动汽车销量的反弹。根据trendforce数据，2018年中国电力半导体市场规模为2591亿元，IGBT作为主流器件发展最快。在国家七大战略性新兴产业中，IGBT是新能源产业、新能源汽车产业、节能环保产业、高端装备制造业不可或缺的半导体器件。

3)随着这些产业的快速发展，IGBT提供了更广阔的市场。此外，光伏、风电等新能源领域对IGBT的需求也大幅增加，国内IGBT替代空间较大。

4)IGBT是一种绝缘栅双极晶体管。它是由BJT双极三极管和MOS绝缘栅FET组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点。GTR的饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大。MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度低。

5)IGBT结合了两种器件的优点，驱动功率低，饱和电压低。非常适用于直流电压600V及以上的变频系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。